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學術活動

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Spin Transfer Torque MRAM

主 講 人 :霍素國    博士

活動時間:01月03日14時30分    

地      點 :理科群2號樓A-302室

講座內容:

電子電荷半導體固態存儲器的發展接近了極限,而作為其最大可能替代產品的電子自旋轉移磁距磁存儲器的研究正在得到井噴式的發展以滿足大數據時代存儲的需求。本報告,首先介紹半導體固態存儲器及其存在的問題,進而介紹電子自旋轉移的理論基礎及導出加入電子自旋轉移磁距的朗道—Lifshitz (LL)方程,然后介紹水平自旋轉移磁矩存儲器及垂直自旋轉移磁矩存儲器。最后介紹創新的雜交自旋轉移磁矩存儲器及導出加入了附加的電子轉移磁矩的LL方程以實現多位的小型化的存儲。


主講人介紹:

霍素國, 博士,倫敦納米技術中心技術主管。長期從事磁存儲和納米計量方面的研究,開發及研究產品化方面的工作,曾在英國謝菲爾大學,布里斯托大學,希捷英國公司、從事計算機硬盤及磁記錄薄膜材料的研究,之后進入倫敦大學學院從事納米技術材料及器件的研究。作為希捷公司的高級資深工程師和首席納米技量專家,曾參與及指導了希捷巨磁阻GMR, TMR 讀頭及垂直磁記錄的研究與產品化。在納米材構表征、磁學及磁記錄材料的實驗與理論研究等方面取得了引人注目的成績。


發布時間:2019-12-30 14:30:18

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